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電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱

 

中華人民共和國國家軍用標(biāo)準(zhǔn)

 

 

FL 0111 ???????????????????????????????????????????????????????????????GJB ????1649-93

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱

 

 

Electrostatic discharge control

program ????for ????protcction?????of

electronic products

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1993—09—30發(fā)布?????????????????????????????1994—06—01實(shí)施

 

 

國防科學(xué)技術(shù)工業(yè)委員會??批準(zhǔn)

 

 

 

??

1????范圍? ?(?1)

1.1?????主題內(nèi)容? ?(?1)

1.2?????適用范圍? ?(?1)

1.3?????應(yīng)用指南? ?(?1)

2 ???引用文件? ?(?1)

3????定義? ?(?1)

4???一般要求 ?(3)

5 ???詳細(xì)要求? ?(3)

5.1 ????ESD?控制大綱計劃 ?(3)

5.2 ????ESDS?元器件、組件和設(shè)備的分級 (3)

5.3?????設(shè)計保護(hù)? ?(4)

5.4?????保護(hù)區(qū)? ?(4)

5.5?????操作程序 ?(4)

5.6 ????保護(hù)罩? ?(4)

5.7?????訓(xùn)練? (4)

5.8?????硬件的標(biāo)記? ?(4)

5.9?????文件? ?(5)

5.10 ????包裝和標(biāo)志? (5)

5.11 ????質(zhì)量保證規(guī)定? (5)

5.12?????評審和檢查? (6)

5.13?????失效分析? (6)

附錄A??靜電放電敏感度分級試驗(yàn)(補(bǔ)充件) (7)

A1 ???范圍? (7)

A1.1 ????主題內(nèi)容? (7)

A1.2?????適用范圍? (7)

A2????元器件適用性要求? (7)

A2.1?????概述? (7)

A2.2?????分級試驗(yàn)報告? (7)

A3????設(shè)備? (7)

A3.1 ????試驗(yàn)設(shè)備? (7)

A3.2?????測量儀器? (8)

A3.3?????校驗(yàn)? (8)

A3.4?????鑒定? (9)

A4????程序? ?(9)

A4.1 ????靜電放電模擬器電流波形的檢驗(yàn)? ?(9)

 

 

 

 

A4.2?????分級試驗(yàn)? (?10)

A4.3?????試驗(yàn)的管腳組合? (?10)

A5????說明 (?10)

附錄B????ESDS?元器件(參考件) (?12)

B1 ???范圍? (?12)

B2???元器件適用性要求? (?12)

B3????詳細(xì)要求? (12)

B3.?1?1、2和3級元器件 ?(12)

B3.2 ????元器件類型分級 (12)

附錄C ??靜電敏感符號的顏色和比例尺寸(參考件) ?(?14)

C1????顏色? (?14)

C2????比例尺寸 (14)

 

 

 

???????????標(biāo)?準(zhǔn)

 

電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱

Electrostatic discharge control

program ?for ?protection ?of

elecfronic ??products

 

 

 

 

 

GJB??????1649·93

 

 

 

 

1??范圍

1.1??主題內(nèi)容

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了靜電敏感電子產(chǎn)品的靜電放電控制要素。還規(guī)定了質(zhì)量保證規(guī)定、資料要 求、檢查及評審等內(nèi)容。

1.2??適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于從事表1所列功能的機(jī)構(gòu)、承制方、轉(zhuǎn)承制方。

本標(biāo)準(zhǔn)的某些部分不適用于所有的訂購方或使用方,訂購方應(yīng)按本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定出相應(yīng)的要?求。

本標(biāo)準(zhǔn)不適用于電觸發(fā)引爆裝置,也不適用元器件的設(shè)計要求。

1.3??應(yīng)用指南

本標(biāo)準(zhǔn)可以剪裁,承制方應(yīng)為訂購方選定表1中合適的控制大綱功能和要素,并經(jīng)訂購方?認(rèn)可。

1.3.1 ???????當(dāng)訂購方指明產(chǎn)品是重點(diǎn)工程中的關(guān)鍵件時,其?ESD?控制大綱還應(yīng)包括3級靜電放?電敏感元器件、組件和設(shè)備(見5.2.1)。

1.3.2 ???????對承制方?jīng)]有執(zhí)行?ESD??控制大綱的元器件、組件和設(shè)備,訂購方可以拒收或另行采?購。

2??引用文件

GJB450???????88 ???裝備研制與生產(chǎn)的可靠性通用大綱

GJB??597-88??微電路總規(guī)范

3??定義

3.1??術(shù)語

3.1.1 ??????靜電放電 ?electrostatic ???????discharge(ESD)

兩個具有不同靜電電位的物體,由于直接接觸或靜電場感應(yīng)引起的兩物體間的靜電電荷?的轉(zhuǎn)移。

3.1.2??????接地 ?grounding

 

國防科學(xué)技術(shù)工業(yè)委員會1993-09-30發(fā)布??????????????????????1994-06-01實(shí)施

 

 

 

 

 

 

表1 ESD控制大綱要求要素

 

 

 

要?素

 

 

功?能

 

ESD

控制大?綱計劃

 

分???????級

設(shè)計保

護(hù)(不

包括零

件設(shè)計)

保?護(hù)?區(qū) 操?作?程?序 保?護(hù)?罩 訓(xùn)????????練 硬?件?標(biāo)?記 文??????件  

包???????裝

 

質(zhì)量保證規(guī)定?檢查和評審

 

失?效?分?析

見?5?.?1 見5.2 見5.3 見5.4 .

見5.5

見?5?.?6 見5.7 見?5?.?8 見?5?.?9 見5.10 見5.11,5.12 見5.13
設(shè)??計 V
生??產(chǎn)
檢查和試驗(yàn)
貯存和運(yùn)輸
安??裝
維護(hù)和修理

注:“?√?”表示考慮;“一”表示不考慮。

 

電氣連接到能供給或接受大量電荷的物體(如大地、艦船或運(yùn)載工具外殼等)。

3.1.3 ?????操作 ?handling

在檢查、制造、裝配、試驗(yàn)、修理、返工、維護(hù)、安裝、運(yùn)輸、失效分析、捆扎、包裝、打標(biāo)志或掛?標(biāo)簽等類活動中,用手搬運(yùn)機(jī)器裝運(yùn)產(chǎn)品的活動。

3.2??縮寫詞

3.2.1????DUT??device??under??test?試驗(yàn)樣品

3.2.2 ?????ESDS??electrostatic??discharge ??sensitivity?靜電放電敏感。

4??一般要求

承制方應(yīng)按本標(biāo)準(zhǔn)的要求制訂、執(zhí)行和提供ESD?控制大綱。表1中適用的控制大綱功能?和要素也應(yīng)用在轉(zhuǎn)承制方和其他有關(guān)機(jī)構(gòu),以便為ESDS?元器件、組件和設(shè)備提供連續(xù)的保?護(hù)。

5??詳細(xì)要求

5.1 ????ESD?控制大綱計劃

承制方應(yīng)按合同或訂單要求提交一份適用的ESD?控制大綱計劃供訂購方認(rèn)可。

5.1.1??????轉(zhuǎn)承制方ESD?的控制

承制方應(yīng)保證轉(zhuǎn)承制方制訂并執(zhí)行ESD?控制大綱。

5.2???ESDS元器件、組件和設(shè)備的分級

承制方應(yīng)將合同中的?ESDS?元器件、組件和設(shè)備標(biāo)明1級或2級,高可靠或關(guān)鍵設(shè)備的元?器件和組件,應(yīng)標(biāo)明3級。

5.2.1??敏感度分級

1級:易遭按5.2.1.1確定的0~1999V??ESD電壓危害的電子產(chǎn)品。

2 級:易遭按5.2.1.1確定的2000~3999V??ESD電壓危害的電子產(chǎn)品。

3級:易遭按5.2.1.1確定的4000~15999V??ESD?電壓危害的電子產(chǎn)品。

注:在本標(biāo)準(zhǔn)里,元器件、組件和設(shè)備的ESD?敏感電壓為16000V?或以上者,認(rèn)為是非靜電敏感產(chǎn)品。

5.2.1.1??元器件分級

元器件的?ESD?敏感度分級應(yīng)按下列方法之一確定;

  1. 按相應(yīng)的元器件規(guī)范中規(guī)定的ESD敏感度;
  2. 按附錄B(參考件)分級;
  3. 當(dāng)另有規(guī)定,或承制方有選擇時,由附錄A(補(bǔ)充件)的試驗(yàn)確定敏感度,ESD敏感度試?驗(yàn)報告應(yīng)符合合同或訂單要求。

5.2.1.2 ?元器件重新分級

分級方法應(yīng)寫入?ESD?控制大綱計劃,元器件的敏感度比附錄B(參考件)指出的要低時,?應(yīng)按5.2.1.1的a?或?c?重新分級。

 

5.3??設(shè)計保護(hù)

組件和設(shè)備的設(shè)計應(yīng)能為最敏感的ESD?元器件提供ESI)?保護(hù)。其最低要求是:

組件-??2000V

設(shè)備……4000V

5.3.1 ?元器件和組件的保護(hù)

必須用1級ESDS?元器件時,組件應(yīng)接入保護(hù)線路,以滿足5.3的設(shè)計要求。

5.3.2 ?設(shè)備保護(hù)

用于滿足設(shè)計規(guī)定要求的試驗(yàn)方法或分析技術(shù)應(yīng)得到訂購方的同意。

5.4??保護(hù)區(qū)

操作無ESD?保護(hù)罩或包裝的ESDS?元器件、組件或設(shè)備應(yīng)在保護(hù)區(qū)里按照ESD?保護(hù)操?作程序(見5.5)進(jìn)行;若不可能在保護(hù)區(qū)里操作時,應(yīng)采用詳細(xì)的替代操作措施和程序或該操?作區(qū)內(nèi)的靜電電壓應(yīng)低干按5.2.1.1確定的相應(yīng)產(chǎn)品敏感的最低電壓。

保護(hù)區(qū)要掛有標(biāo)明靜電安全工作區(qū)的警示牌,未采取防靜電保護(hù)的人員不得進(jìn)入。

5.5??操作程序

應(yīng)該研究、制訂和執(zhí)行ESD?保護(hù)的操作程序。程序的詳細(xì)要求取決于保護(hù)區(qū)提供的控制?程度,保護(hù)區(qū)為防靜電放電危害提供的保護(hù)程度越低,程序應(yīng)越詳細(xì)。操作程序應(yīng)按合同或訂?單的要求提供。

5.5.1 ?設(shè)備的安裝和貯存

設(shè)備的安裝和貯存要求如下:

  1. ??設(shè)備安裝前。要求保持ESI)保護(hù)罩或包裝原封不動;
  2. ?設(shè)備外部端口和連接器上的ESI)保護(hù)罩或帽應(yīng)該直到安裝時才拆去;
  3. 將不通電的連接器、電纜連接到與ESDS產(chǎn)品相連的插座之前,連接器的插頭和電纜?屏蔽線(連接器外殼)應(yīng)該接地以釋放所有的靜電電荷。接于?ESDS?產(chǎn)品端點(diǎn)的電纜應(yīng)該作為?ESIDS?產(chǎn)品按5.5來操作。

5.6??保護(hù)罩

ESDS?元器件、組件處于不工作狀態(tài)或保護(hù)區(qū)外時,應(yīng)該用ESID保護(hù)罩或包裝把他們封?閉起來?.ESDS?產(chǎn)品的保護(hù)罩應(yīng)該符合5.10的要求。

5.7??訓(xùn)練

對所有執(zhí)行或監(jiān)督表1中所列內(nèi)容的人員應(yīng)該經(jīng)常進(jìn)行訓(xùn)練。人員的訓(xùn)練記錄應(yīng)提供給

訂購方或其指定的現(xiàn)場檢查代表。

5.8??硬件的標(biāo)志

5.8.1??元器件

ESDS?微電路的標(biāo)志應(yīng)符合GJB ??597,其他?ESDS?元器件的標(biāo)志應(yīng)符合有關(guān)產(chǎn)品規(guī)范的規(guī) 定。

5.8.2??組作

ESDS?組件應(yīng)按圖1標(biāo)志。符號應(yīng)標(biāo)在將它裝入下一個較高層次的組件時容易看見的位?4?置上,由于組件的尺寸或方向不能滿足這一要求時,訂購方應(yīng)該同時研究和采用替代的

 

標(biāo)志方式。

 

 

 

 

 

 

圖 1 ?靜電敏感符號

 

5.8.3??設(shè)備

含有ESDS?元器件和組件的設(shè)備按圖1標(biāo)志,符號應(yīng)標(biāo)在設(shè)備的外表面,而且在人員接觸 設(shè)備內(nèi)的ESDS?元器件、組件前容易看到:并將“含有靜電放電敏感元器件”的警句標(biāo)在圖1所?示符號旁邊。

5.8.3.1??設(shè)備外部端口

靜電敏感符號(圖1所示)應(yīng)標(biāo)在設(shè)備外表面上內(nèi)連ESDS?元器件和組件的端口附近。

5.9??文件

5.9.1??交付文件

交付使用的文件上應(yīng)將1、2或3級ESDS?元器件、組件和設(shè)備及連接?ESDS?元器件、組件?的連接器、試驗(yàn)點(diǎn)、端口都標(biāo)上“ESDS”?字樣或圖1所示符號。文件一般應(yīng)包括成文的ESD?保?護(hù)程序。

5.9.2??可不交付文件

承制方用于執(zhí)行?ESD?控制大綱的可不交付文件上,應(yīng)將1、2或3級ESDS?元器件、組件?和設(shè)備都標(biāo)上“ESDS”字樣或圖1所示符號,可用明確的分級數(shù)據(jù)代替識別標(biāo)志。

5.10??包裝和標(biāo)志

ESDS?產(chǎn)品的ESD?保護(hù)包裝應(yīng)按產(chǎn)品規(guī)范或相應(yīng)的產(chǎn)品包裝規(guī)范進(jìn)行包裝。另外,與設(shè)?備內(nèi)的?ESDS?元器件、組件相連的設(shè)備外部端口應(yīng)使用ESD?保護(hù)帽。

外包裝箱上應(yīng)標(biāo)上圖1所示符號,并標(biāo)上“注意:敏感電子元器件,儲運(yùn)中,切勿靠近強(qiáng)靜?電、強(qiáng)電磁、磁場或放射場”的警句。

5.11??質(zhì)量保證規(guī)定

為保證符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,承制方應(yīng)制訂質(zhì)量保證文件,其條款中還應(yīng)包括對轉(zhuǎn)承制方、?銷售方執(zhí)行ESD?保護(hù)要求進(jìn)行監(jiān)督和審查。

 

5.11.1??內(nèi)部質(zhì)量記錄

承制方應(yīng)該具有并保留每一項(xiàng)質(zhì)量評價的內(nèi)部記錄,以確保與ESD?控制大綱一致。這些?記錄應(yīng)說明評價日期、參加者、評價項(xiàng)目、評價目標(biāo)(目的)、檢查出的問題以及有關(guān)建議和糾正?措施。

5.11.2??內(nèi)部質(zhì)量報告

承制方應(yīng)該具有按本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定進(jìn)行的質(zhì)量評價結(jié)論和建議的內(nèi)部報告。質(zhì)量評價報告應(yīng)?說明進(jìn)行的活動,檢測出的問題、必要的糾正措施、對出現(xiàn)質(zhì)量問題的分析以及改進(jìn)建議。

5.12??評審和檢查

承制方應(yīng)該對5.12.1和5.12.2中各項(xiàng)進(jìn)行評估,為正式評審和檢查作好計劃和準(zhǔn)備工?作,并確保要求的文件齊全。當(dāng)需要確定是否與本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求相符時,訂購方有權(quán)檢查、評?審本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的文件。承制方擬定的設(shè)計評審和計劃實(shí)施的評審都應(yīng)包括ESD?控制大綱要?求。訂購方或其指定代表可選擇參加評審。根據(jù)要求,在承制方認(rèn)為方便時,可提供評審和檢?查記錄。

5.12.1??設(shè)計評審

評審時,應(yīng)提供與ESD?控制大綱有關(guān)的設(shè)計決策,它應(yīng)包括:

a.1?、2?級?或?3?級ESDS?元器件、組件和設(shè)備以及ESDS?外部端口(見5.2.1和5.9)的鑒?定?;

  1. 組件和設(shè)備的分級電路分析結(jié)果(見5.3.2);
  2. 組件(見5.3.1)、設(shè)備連接器、端口以及測試點(diǎn)(見5.3.2)的保護(hù)電路;
  3. 包括編入保護(hù)操作程序的文件的標(biāo)志(見5.9);
  4. 硬件的標(biāo)志(見5.8);
  5. 為滿足本標(biāo)準(zhǔn)要求所存在的問題、對該類問題的綜合分析以及采取措施的建議;
  6. 元器件的選擇、分級方法和原理。

5.12.2??計劃實(shí)施的評審

按下述內(nèi)容進(jìn)行評審:

a.ESD???控制大綱計劃的執(zhí)行(見5.1);

  1. 保護(hù)區(qū)的總體設(shè)計、結(jié)構(gòu)及維護(hù)要求(見5.4);
  2. 用于控制操作ESDS元器件、組件和設(shè)備的保護(hù)程序(見5.5);
  3. 監(jiān)控保護(hù)區(qū)的持續(xù)有效的質(zhì)量保證方法和程序(見5.11);
  4. 進(jìn)行ESD?控制大綱檢查的質(zhì)量保證方法和程序(見5.11、5.12);
  5. ?承制方近期訓(xùn)練計劃(見5.7);

g.ESDS???元器件、組件和設(shè)備的保護(hù)罩和包裝(見5.6和5.10);

  1. 為滿足本標(biāo)準(zhǔn)要求所存在的問題、對該類問題的綜合分析以及采取措施的建議。

5.13??失效分析

當(dāng)合同或訂單要求引用GJB??450中項(xiàng)目104或301時,失效分析應(yīng)包括ESD?失效模式、?原因及糾正措施的建議。

 

????A

靜電放電敏感度分級試驗(yàn)?(補(bǔ)充件)

A1 ??范囤

A1.1??主題內(nèi)容

本附錄規(guī)定了靜電放電敏感度分級試驗(yàn)(見5.2.1.1c) 的準(zhǔn)則和程序。

A1.2????適用范圍

本附錄適用于微電子器件靜電放電敏感度分級試驗(yàn),其他靜電敏感元器件也可參照使用。

A2 ??元器件適用性要求

A2.1????概述

按本附錄規(guī)定進(jìn)行元器件的ESDS?分級試驗(yàn)時,應(yīng)把試驗(yàn)日期通知訂購方,訂購方有權(quán)親?自觀看試驗(yàn)和評審試驗(yàn)數(shù)據(jù)。該分級試驗(yàn)應(yīng)視為破壞性試驗(yàn),試驗(yàn)過的元器件不能作為交貨產(chǎn)?品 。

A2.2????分級試驗(yàn)報告

分級試驗(yàn)報告應(yīng)符合合同或訂貨單的要求。

A3???設(shè)備

A3.1????試驗(yàn)設(shè)備

靜電放電脈沖模擬器和?DUT?插座應(yīng)符合圖A1 的電路,該電路能產(chǎn)生圖A2 所示特征的?脈沖波形。

 

 

 

圖 A1 ?????ESD分級試驗(yàn)電路(人體模型)

 

R1=10?~10?Ω??????R2=1500Ω±1%

C1=100pF±10% ???(絕緣電阻最小為1012Ω)

S1一高壓繼電器(無抖動型,水銀繼電器或等效的繼電器)

S2一普通閉合開關(guān)(在脈沖放電和電容測量時斷開)

 

注:①寄生效應(yīng)對本模擬電路有強(qiáng)烈的影響。跨接繼電器和電阻端的電容量及線路和各元件上的電感量應(yīng)減至最小。

②為防止C1 瞬時再充電,在SI 接到充電位置時,將電源電壓調(diào)小一些。

③在校準(zhǔn)和試驗(yàn)期間,不允許變動DUT?插座。

④不允許采用換接模擬器?A、B端來獲得相反的極性。

⑤CI ?代表了有效電容(見A3.3.2)。

⑥電流探針應(yīng)用雙線屏蔽電纜連接到示波器的502輸入端,電纜長度不能超過0.9m

 

 

100%

90%

 

 

 

368%

 

10%???0+

0

Tri

Tdi

圖?A2???靜電放電敏感度分級試驗(yàn)電流波形示意圖(人體模型)

注:①電流波形應(yīng)按A4.1 ?規(guī)定的程序來測量,所用設(shè)備應(yīng)符合A3.1 ?的要求。

②電流脈沖波形應(yīng)具有下列特征:

Tri????(上升時間):小于10ns

Tdi ???(衰減時間):150±20ns

Ip???(峰值電流):表A1?中所選電壓等級對應(yīng)的Ip±10% ?范圍內(nèi)。

Ir ???(振蕩電流):衰減應(yīng)平滑,出現(xiàn)的抖動、雙時間常數(shù)或不連續(xù)的值應(yīng)小于Ip?最大值的15%,且脈沖開始100ns 后?不應(yīng)觀察到,

A3.2????測量儀器

儀器包括能檢查模擬器輸出脈沖波形是否符合圖A2 要求的示波器、放大器和電流探針?等。

A3.2.1 ?????示波器和放大器

示波器和放大器組合電路應(yīng)有最小350MHz的帶寬和最低0.25ns/cm??的掃描時基。?A3.2.2??????電流探針

電流探針應(yīng)有最小350MHz?的帶寬。

A3.2.3??????充電電壓探針

充電電壓探針應(yīng)有最小1000MΩ的輸入電阻和最大4%的分壓比。

A3.3?????校驗(yàn)

周?期?性 的?校?驗(yàn)?至?少?應(yīng)?包?括?下?述 內(nèi)?容?。

A3.3.1??????充電電壓

顯示模擬器充電電壓的儀表應(yīng)校準(zhǔn),以指示圖A1?中?C、D 兩點(diǎn)間的實(shí)際電壓,其值見表?A1?的規(guī)定。

 

表A1模擬器充電電壓(Vs)等級與峰值電流(Ip)的關(guān)系

 

級??別 Vs/V Ip/A
1 500 0.33
2 1000 0.67
3 2000 1.33
4 4000 2.67

注?:lp?是在電流波形檢驗(yàn)過程中流過R??的峰值電流,大約為Vs/1500Ω。

A3.3.2??????有效電容量

把圖A1?中?的C1?充電到特定電壓(見表A1), ?在試驗(yàn)插座無試驗(yàn)樣品和試驗(yàn)開關(guān)斷開的?情況下,把C1?所充的電荷放電到圖A1?中?A、B 兩點(diǎn)的靜電計、庫侖計或已校驗(yàn)的電容器來測?量有效電容量。在規(guī)定的電壓范圍內(nèi),有效電容量應(yīng)是100pF±10%, ???有效電容量應(yīng)定期在?1000V ?電壓下進(jìn)行校驗(yàn)(注意:需串聯(lián)一個電阻來減慢放電過程和得到正確的測量結(jié)果)。必?要時,可采用其他等效的方法。

A3.3.3??????電流波形

對表A1?中的每一級電壓分別按A4.1??所述過程測定電流波形,每一級電壓的電流波形應(yīng)?滿足圖A2?的要求。

A3.4?????鑒定

對新儀器或經(jīng)過大修的儀器應(yīng)進(jìn)行驗(yàn)收檢驗(yàn)。檢驗(yàn)應(yīng)包括下述內(nèi)容(但不僅限于此內(nèi)容)。?A3.4.1??????電流波形檢驗(yàn)

以最靠近B 端(見圖A1)?的管腳為參考點(diǎn),檢驗(yàn)每個管腳上的電流波形。所有波形均應(yīng)滿?足圖A2 的要求。標(biāo)記出顯示最差波形(接近于臨界極限)的管腳對,用于?A4.1??所要求的波形?檢查。

A4???程序

A4.1 ????靜電放電模擬器電流波形的檢驗(yàn)

為保證模擬器正常工作,進(jìn)行ESD?試驗(yàn)每次換班開始或每次改變試驗(yàn)插座/插板后的試?驗(yàn)前均應(yīng)進(jìn)行電流波形檢驗(yàn)。如果模擬器不滿足所有的要求,則最后一次合格檢驗(yàn)后所做的所?有分類試驗(yàn)都必須重做。在裝置的最初鑒定和重新鑒定時,應(yīng)將按A4.1.3~A4.1.5 ?????的要求觀??察到的波形拍攝成照片,作為文件保存以供審查和比較(也可用貯存的數(shù)字化圖象代替照片)。?A4.1.1 ?????把沒有試驗(yàn)樣品的DUT??插座安裝到模擬器上,在DUT???插座的兩個管腳孔上跨接?一段短接線,把其中一個管腳連接到模擬器的A?端,另一個管腳連接到B 端(見圖A1)。

A4.1.2??把電流探針繞接到靠近B 端的短接線下,將模擬器的充電電壓源?Vs?設(shè)置到符合表?A1 中第4級的4000V。

A4.1.3 ?????觸發(fā)一個模擬器脈沖并觀察電流波形的前沿,電流波形應(yīng)滿足圖A2?的上升時間、峰 值電流和減幅振蕩要求。

A4.1.4 ?????再次觸發(fā)模擬器脈沖,并觀察整個電流波形,脈沖應(yīng)滿足圖A2?的衰減時問和減幅振

 

蕩要求?。

A4.1.5 ????改變電壓極性(Vs=-4000V), ???????重復(fù)A4.1.3 ??及?A4.1.4 ???過程。

A4.1.6 ?????檢查模擬器輸出,驗(yàn)證每次觸發(fā)只產(chǎn)生一個脈沖且電容器C1?充電時沒有脈沖輸出。?為觀察再充電的瞬態(tài)過程,將觸發(fā)器設(shè)置在相反極性,并將示波器的垂直靈敏度提高約10倍,?然后觸發(fā)模擬器。

A4.2????分級試驗(yàn)

A4.2.1 ?????試驗(yàn)前和試驗(yàn)過程中每個器件均應(yīng)保持在室溫。

A4.2.2 ????取一個試驗(yàn)樣品按表A1?所示的電壓等級來確定該器件靜電放電的失效電壓值。對?帶火花隙保護(hù)的器件,試驗(yàn)必須從表A1?所示的最低電壓級開始,除此之外,試驗(yàn)可從任何電?壓級開始。用圖示儀測試試樣的輸入或輸出的?V/I??損傷特性或用其他簡單的試驗(yàn)技術(shù)確認(rèn)電 壓值(例如,累積損傷效應(yīng)可能因在失效電壓級下選用新的樣品重新試驗(yàn)而被忽略,使樣品可?能通過這一電壓級的試驗(yàn))。

A4.2.3 ????選取一組三個試驗(yàn)樣品,按表A1?在低于A4.2.2 ???確定失效電壓值的電壓等級下進(jìn)??行試驗(yàn)。每個試驗(yàn)樣品都應(yīng)按表A2?所示的各個管腳組合進(jìn)行三次正脈沖和三次負(fù)脈沖試驗(yàn)。 脈沖間隔最少為1s。

表?A2 ???試驗(yàn)的管腳組合1

 

A端(下列各個管腳依次接?到A端,其他管腳懸空) B端(所有各類同名管腳聯(lián)?在一起接到B端)
1 除Vs外的所有管腳2) 所?有?V?管?腳
2 所有輸入和輸出管腳 所有其他的輸入和輸出管腳

注:①表A2的說明見A4.3。

1)不連接的管腳是不被試驗(yàn)的。

2)對各類電源腳和地,重復(fù)管腳組合1的試驗(yàn)(如Vs 是Vbu、Vcc、Vss、VBe、GND.+Vs’、VREF等)。

A4.2.4 ????試驗(yàn)樣品按適用的1和7組進(jìn)行電性能測試(室溫下的直流參數(shù)和功能參數(shù)測試)。?A4.2.5 ?????如果有一個以上的試驗(yàn)樣品失效,用三個新的試驗(yàn)樣品,在比所用電壓等級更低的?電壓下重復(fù)A4.2.3???和?A4.2.4。

A4.2.6 ?????如果三個試驗(yàn)樣品沒有一個失效,記下A4.2.2 ??所確定的失效電壓值。

A4.3????試驗(yàn)的管腳組合

A4.3.1 ?????各個管腳依次接到A?端,相應(yīng)器件的地腳接到B 端。除被試的管腳和地腳外,其它所?有管腳懸空。相應(yīng)各個不同類的所有電源腳(如Vss或?Vs? 或V??或 Vc ?或Vec2聯(lián)在一起接到?B?端。除被試的管腳和電源腳外,其他管腳都懸空。

A4.3.2??????各個管腳依次接到A 端

A4.3.3??各個輸入和輸出管腳依次接到A?端,相應(yīng)所有其他輸入和輸出管腳聯(lián)在一起接到B

端。除被試的輸入和輸出管腳以及所有其他輸入和輸出管腳外,其他所有管腳都懸空。

A5 ?????

下列內(nèi)容應(yīng)在訂貨單或合同中規(guī)定,或在其他場合明確規(guī)定。

 

A5.1??試驗(yàn)后電性能測試結(jié)果

A5.2 ????采用的特殊條件或代用的管腳組合。

A5.3?????試樣數(shù)量(試樣不是3個時)。

 

????B???ESDS?元器件? (參考件)

B1??范圍

本附錄確定了適用本標(biāo)準(zhǔn)ESD?控制大綱要求的1、2和3級元器件。

B2?元器件適用性要求

B2.1 ???適用于本標(biāo)準(zhǔn)的ESDS?元器件列于表B1,?這些元器件根據(jù)元器件類型和敏感度范圍來?分?級?。

B3???詳細(xì)要求

B3.1????12和3級元器件

表B1?說明了1、2和3級元器件類型(見5.2)。這種分級的依據(jù)是給定元器件類型中有代?表性元器件的試驗(yàn)數(shù)據(jù)和報告。元器件設(shè)計、加工技術(shù)或保護(hù)電路的差異可能導(dǎo)致元器件不在?表?B1 規(guī)定的范圍內(nèi)。

B3.2????元器件類型分級

必要時,附錄A(補(bǔ)充件)的試驗(yàn)數(shù)據(jù)可取代表B1的元器件類型分級。

表?B1???按元器件類型列出的ESDS 元器件

 

1級:敏感電壓范圍0~1999V?元?器?件?類?型
微波器件(肖特基勢壘二極管、點(diǎn)接觸二極管和其他工作頻率大于1GHz的檢測二極管
離散型MOS場效應(yīng)晶體管
聲表面波(SAW)器件
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JEETs)
電荷耦合器件(CCDs)
精密穩(wěn)壓二極管(線或加載電壓穩(wěn)定(0.5%))
運(yùn)算放大器(OP?AMPs)
薄膜電阻器
集成電路
使用1級元器件的混合電路
超高速集成電路(VHSIC)
環(huán)境溫度100℃時,?I??<0.175A的晶體閘流管(SCRs)

 

 

續(xù)表B1

 

2級:敏感電壓范圍2000~3999V?元?器?件?類?型
由附錄A(補(bǔ)充件)試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為2級的元器件和微電路?離散型MOS場效應(yīng)晶體管

結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JEETs)

運(yùn)算放大器(OP?AMPs)

集成電路(ICs)

超高速集成電路(VHSIC)

精密電阻網(wǎng)絡(luò)(R2)
使用2級元器件的混合電路
低功率雙極型晶體管,P≤100mW,Ic<100mA
3級:敏感電壓范圍4000~15999V?元?器?件?類?型
由附錄A(補(bǔ)充件)試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為3級的元器件和微電路:
離散型MOS場效應(yīng)晶體管?運(yùn)算放大器(OP?AMPs)??集成電路(ICs)

超高速集成電路(VHSIC)

所有不包括在1級或2級中的其他微電路
Po<1W或I??<1A的小信號二極管
普通要求的硅整流器
I??>0.175A的晶體閘流管(SCRs)
350mW>Pa>100mWH400mA>I:>100mA的低功率雙極型晶體管
光電器件(發(fā)光二極管、光敏器件、光耦合器)
片狀電阻器
使用3級元器件的混合電路
壓電晶體

 

 

????C

靜電敏感符號的顏色和比例尺寸

(補(bǔ)充件)

C1??顏色

靜電敏感符號可以用與底色有明顯對比的任何顏色單色標(biāo)注。?建議在黃色底上采用黑色的符號;盡量避免采用紅色。

C2???比例尺寸

如果標(biāo)記位置允許,應(yīng)按圖Cla??所示的基本符號進(jìn)行標(biāo)注。?需要時,也可以采用圖C1b?所示的按比例縮小的簡化符號。

 

 

圖?Cla??????基本符號

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

圖?C1b??按比例縮小的簡化符號

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

附加說明:

本標(biāo)準(zhǔn)由中國電子工業(yè)總公司提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由機(jī)械電子部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)由機(jī)械電子部標(biāo)準(zhǔn)化研究所、電子基礎(chǔ)產(chǎn)品裝備公司起草。??本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:方麗娜、徐云、林文荻、王瑞鋒、穆祥鎮(zhèn)、李自強(qiáng)。

計劃項(xiàng)目代號:90151。

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